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Q3D專家成就解鎖挑戰 (試題篇) (簡答篇) (詳答篇)

若已經學習過Q3D基礎與進階這一系列的課程，下一階段可嘗試挑戰[Q3D專家成就解鎖]，試題如下，共有三題。這三題站長沒有公開討論或說明過，但其實不難。

站長不回覆提問或引導你找到答案。這些問題就算不知道原因也不影響軟體正確地使用，考題純粹是給對技術熱情者自我挑戰，訓練對未知領域的探索能力與發掘優秀人才。

欲參加挑戰者，只要掌握關鍵要點，每題以3~5句簡答逕寄站長信箱即可。答題2/3正確就算及格過關，將獲得[Q3D專家成就解鎖]密碼，做為此三題的簡答篇與詳答篇的通關鑰匙，並且將來有機會時可推薦您進入國際大廠從事相關工作。同資格考模式，通過者將獲得通關密碼，未通過者不再另行通知。

設關日期：2020.08.02

闖關人次：6人，通關人數：2人 -- 2023.04.06

 

1. Source/Sink位置對調，會影響RLC矩陣表內的互阻/互感正負，但為何不會影響Q3D輸出的模型或Simplorer/Designer link Q3D的模擬結果? (mesh quality足夠好的前提下)

2. 介電常數會隨頻率變化所以電容也會隨頻率變化，這可以理解，但為何Q3D只需輸入固定頻率(通常是1GHz)的介電常數D_k與介質損耗D_f，由後者決定了電容是否隨頻率變化?

3. 在陶瓷電容3D建模與抽取一文中，如果有下載範例學習，會發現要用Q3D計算電容兩端間所看到的阻抗，考慮G項必須使用G₁₂/(2*pi*freq*C₁₂)²，而不是1/G₁₂，這是為什麼?

考古題

• 同樣是求解電容矩陣，為何Maxwell必須在不同的導體上分別設置不同電壓(且設置條件會影響收斂結果)，而Q3D不需要這樣的設置? (此題在新的HELP內已有說明)

• Q3D對材料只有導體與非導體(介質)二分法，那對於少數帶有微導電率的介質(如矽Silicon)，Q3D是如何處理?論文使用Q3D與HFSS模擬TSV的都有，兩者有差異嗎? (此題2020.08月底已有專文討論)

• Q3D默認以無窮遠處電壓為零參考，且其影響電容矩陣的效果可以靠float at infinity移除。既然該參考是距離無窮遠，根據電容大小與兩平行極板距離呈反比的特性，其所貢獻的影響應該是無窮小(不影響)，不是嗎? 這裡的無窮遠電壓為零該如何理解? (此題2023.07月底已有專文討論)