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  1. 從物理意義上理解特性阻抗

  2. 數學上的特性阻抗表示

    2.1 一般特性阻抗公式

    2.2 傳輸線特性阻抗

  3. "Differential impedance and Odd-mode impedance"、"Common impedance and Even-mode impedance"

  4. 從模擬上觀察傳輸線特性阻抗

    4.1 Microstrip比Strip line傳輸速度快,但特性阻抗較大

    4.2 四層板比兩層板容易做到single-end impedance 50歐姆

    4.3 同樣是3W rule,四層板的cross-talk防治以3W space足夠,但兩層板不夠

    4.4 SM (Soler Mask) layer對differential impedance的影響,兩層板比起四層板略大

    4.5 50 Ohm的傳輸線,線間距小於3W就要考慮coupling effect

  5. Reference

  1. 從物理意義上理解特性阻抗  

究竟什麼是特性阻抗?理解特性阻抗最簡單的方法是分析信號在傳輸線中的行為。

當訊號沿著一條具有同樣橫截面的傳輸線移動時,假定把1V的階梯波(step function)加到這條傳輸線中(如把1V的電池連接到傳輸線的發送端,電壓跨在發送線和迴路之間),一旦連接,這個電壓階梯波沿著該線傳播,它的速度通常約為6英寸/ns。這個信號是發送線路和迴路之間的電壓差,它可以從發送線路的任何一點和迴路的相臨點來衡量。

訊號能量在第一個0.01ns前進了0.06英寸,這時發送線路有多餘的正電荷(由電池提供),而迴路有多餘的負電荷,正是這兩種電荷差維持著這兩個導體之間的1V電壓差,且這兩個導體間也形成了一個電容器。在下一個0.01ns中,又要將下一段0.06英寸傳輸線的電壓從0調整到1V,這必須再加一些正電荷到發送線路,與加一些負電荷到接收線路。

每移動0.06英寸,必須把更多的正電荷加到發送線路,而把更多的負電荷加到迴路。每隔0.01ns,必須對傳輸線路的另外一段進行充電,然後信號開始沿著這一段傳播。電荷來自傳輸線前端的電池,當訊號沿著這條線移動時,就給傳輸線的連續部份充電,因而在發送線路和迴路之間形成了1V的電壓差。每前進0.01ns,就從電池中獲得一些電荷(±Q),恆定的時間間隔(±t)內從電池中流出的恆定電量(±Q)就是一種恆定電流。流入迴路的負電流實際上與流出的正電流相等,而且正好在信號波的前端,交流電流藉由上、下線路組成的電容,結束整個循環過程。

訊號傳遞時,會在傳輸線內建立一個電場,而這訊號傳遞的速度取決於在訊號與迴路周圍金屬材質的電荷充放電與磁場生成速度。

對電池來說,當信號沿著傳輸線傳播,並且每隔0.01ns對連續0.06英寸傳輸線段進行充電,從電源獲得恆定的電流時,傳輸線看起來像一個阻抗器,並且它的阻抗值恒定,這可稱為傳輸線路的浪涌阻抗(surge impedance)。同樣地,當信號沿著線路傳播時,在下一步之前(0.01ns之內),把這一步的電壓提高到1V所需供應的能量(所需克服的阻力),這就涉及到瞬時阻抗的概念。

如果信號以穩定的速度沿著傳輸線傳播,並且傳輸線具有相同的橫截面,那麼在0.01ns中每前進一步需要相同的電荷量,以產生相同的信號電壓。此時,信號著這條線前進時,會遭遇同樣的瞬時阻抗,這被視為傳輸線的一種特性,被稱為特性阻抗如果信號在傳遞過程的每一步的特性阻抗相同,那麼該傳輸線可認為是阻抗控制的(controlled impedance)傳輸線。

瞬時阻抗或特性阻抗,對信號傳遞品質而言非常重要。在傳遞過程中,如果下一步的阻抗和上一步的阻抗相等,工作可順利進行,但若阻抗發生變化(阻抗不匹配),那會出現一些問題。為了達到最佳信號品質,設計目標是在信號傳遞過程中盡量保持阻抗穩定,首先必須保持傳輸線特性阻抗的穩定,因此,有做阻抗控制的PCB板的變得越來越重要。另外,其它的方法 ,如餘線長度最短化(min. stub)、末端去除(remove plating tail)和整線使用,也用來保持信號傳遞中瞬時阻抗的穩定。

The current associated with a short-duration pulse creates a pattern reminiscent of a rolling tank tread.

  1. 數學上的特性阻抗表示  

2.1 一般特性阻抗公式

ZC代表信號傳遞過程中每一步的阻抗,V代表信號進入傳輸線時的電壓,I代表電流。I=±Q/±t,Q代表電量,t代表每一步的時間。電量(來源於電池):±Q=±C×V,C代表電容,V代表電壓。Zc表示傳輸線特性阻抗是一個隨頻率變化的函數,而會隨頻率變化的主要原因是傳輸線材質的line loss會隨頻率略為變化。

電容可以用傳輸線單位長度容量CL和信號傳遞速度n來推導。單位引腳的長度值當作速度,再乘以每步所需時間t, 則得到公式: ±C=CL×n×(±)t。綜合以上各項,我們可以得出特性阻抗:

Z=V/I=V/(±Q/±t)=V/(±C×V/±t)=V/(CL×n×(±)t×V/±t)=1/(CL×n)

特性阻抗跟傳輸線單位長度電容量和信號傳遞速度有關為了區別特性阻抗和實際阻抗Z,我們在Z後面加上o。(Zo是 意指特定頻率wo下的特性阻抗)

如果傳輸線單位長度電容量和信號傳遞速度保持不變,那麼傳輸線特性阻抗也保持不變。這個簡單的說明將電容常識和特性阻抗理論聯繫在一起。如果增加傳輸線單位長度電容量,例如:加粗傳輸線,或讓導線與reference plane距離拉近,可降低傳輸線特性阻抗。

特性阻抗雖然會隨頻率變化,但在PCB上這變化量很小

2.2 傳輸線特性阻抗

2.2.1 For lossless line or at frequencies above the LC and skin-effect mode onset but below the onset of multiple waveguide modes of operation

L:單位長度電感(H/m),C:單位長度電容(F/m)

As a rough rule of thumb, the capacitance per length of a 50-Ohm transmission line in FR4 is about 3.5 pF/inch.

2.2.2

  1. "Differential impedance and Odd-mode impedance"、"Common impedance and Even-mode impedance"  

3.1 Differential impedance and Odd-mode impedance (串聯等效)

延續特性阻抗的基本定義:在發送端看進傳輸線的電壓、電流比。以下將從兩條彼此沒有耦合(coupling)關係的differential signals,導出一般differential signals的differential impedance表示式。

3.1.1 No coupling effect (不考慮cross-talk)

假設一差分對(differential pair)兩線彼此之間的距離夠遠(比如2W以上距離),兩條線特性一樣,且在單一導線上流動的電流為Ione,訊號電壓為Vone,則線的單 端特性阻抗(single-end impedance)為:

而差分訊號是兩相位差180訊號同時在這兩線傳遞,所以在這一對傳輸線看到的差分特性阻抗為:

此處的Zo又稱做"uncoupled impedance"

不考慮兩差分線彼此的耦合關係的條件下,差分特性阻抗正好是單端特性阻抗的兩倍,原因是跨在兩差分訊號上所見的電壓振幅正好是兩倍。

3.1.2 With coupling effect (考慮cross-talk)

當差分對的兩線彼此靠近,必須開始考慮其間的耦合效應進來,每條線自己的單端特性阻抗也會改變,這是因為從該線射出的電力線,不只有收斂到下方的reference plane,還會有部份往旁邊的differential pair收斂(coupling appear);也就是每條線上看到的電流,其實會與另一條線相關,即使這影響很輕微。

Differential impedance公式換成以下的表示式:

The odd-mode impedance (Zodd) is the impedance of one line when the pair is driven in the odd-mode state. The differential impedance is the impedance the differential signal sees as it propagates down the differential pair.

That is, differential impedance is the impedance measured between two conductors when they are driven in the differential mode. Odd-mode impedance is the impedance measured on either of two conductors when they are driven with opposite signals in the differential mode.

Eric Bogatin大師說:沒有[differential-mode]、[differential-mode impedance]這名詞,忘了這名詞就不會混淆[differential impedance]、[odd-mode impedance]。但Howard Johnson, Martin Graham大師當[differential-mode impedance]=[differential impedance] ,ch6.9。其實在電路學或EMC領域,我們很早就接觸了differential-mode這名詞,Eric只是認為在SI領域,既然有odd-mode、even-mode的定義,那[mode]就專屬於激發態的狀態描述為宜,如此罷了。

A differential signal will drive a signal in the odd mode, and a common signal will drive a signal in the even mode for a symmetric, edge coupled microstrip differential pair. Odd and even modes refer to special intrinsic states of the differential pair. Differential and common refer to the specific signals that are applied to the differential pair.

Odd-mode impedance is always less than even-mode impedance. It is the same as cross-talk induced jitter issue, please to think about it.
      Coupling effect decreases both differential impedance and odd-mode impedance.

3.2  Common impedance and Even-mode impedance (並聯等效)

... no coupling effect

... with coupling effect

  1. 從模擬上觀察傳輸線特性阻抗

4.1 Microstrip比Strip line傳輸速度快,但特性阻抗較大。因為部分的電力線以空氣為介質,所以導線與地所形成的電容小。 

4.2 四層板比兩層板容易做到single-end impedance 50歐姆。因為四層板有內層reference plane;C較大,Zo較小。 

4.3 同樣是3W rule,四層板的cross-talk防治以3W space足夠,但兩層板不夠。以6~12H rule取代3W rule的描述較合理 

過去我們所習知的3W rule,一般是適用於50歐姆特性阻抗的傳輸線結構。ref. sec. 4.5

4.4 SM (Soler Mask) layer對differential impedance的影響,兩層板比起四層板略大。 

因為兩層板trace與reference plane距離較遠,所以訊號往旁邊differential pair的就近強耦合較多,此時SM的介電係數影響就加重

4.5 50 Ohm的傳輸線,線間距小於3W就要考慮coupling effect 

The differential impedance of a pair of 5mil-wide, 50-Ohm stripline traces in FR4, as the spacing between them decreases. Simulated with Ansoft's SI2D.

The single-ended characteristic impedance of line 1 when the second line is pegged low, switching opposite and switching the same, as the separation between the traces changes, for 5-mil-wide, 50-Ohm striplines in FR4. Simulated with Ansoft's SI2D.

When trace separations are closer than about three line widths, the presence of the adjacent trace will affect the characteristic impedance of the first trace. Its proximity as well as the manner in which it is being driven must be considered.

  1. Reference 

[1] 台大吳瑞北老師的講義 

[2] Chapter1 -- 宜蘭大學, 邱建文教授